DM3020程控晶體成長(zhǎng)爐技術(shù)參數(shù)
1、電源：AC220V，50/60Hz；
2、額定功率：7kW；
3、爐膛尺寸：180×200mm；
4、加熱元件：Si-Mo硅鉬棒
5、額定溫度：1600℃，溫控精度：± 1℃，
升溫速率：10℃/min；
6、報(bào)警保護(hù)：上、下限,正、負(fù)偏差,斷偶等報(bào)警；
(二)產(chǎn)品特色：
本設(shè)備適用于材料學(xué)相關(guān)專(zhuān)業(yè)的教學(xué)和科研實(shí)驗(yàn)，由溫控系統(tǒng)、井式爐、真空系統(tǒng)、供氣系統(tǒng)、水冷系統(tǒng)五部分構(gòu)成，可在真空或氣氛環(huán)境下用高溫熔融生長(zhǎng)法制備各種氧化物、非氧化物晶體材料，以及對(duì)多晶體樣品進(jìn)行燒結(jié)、熱處理等。
1、智能AI控溫，具備50段程序編排功能，節(jié)能高效益；
2、特殊的爐膛保溫材料，爐膛溫度分布均勻，保溫性能優(yōu)異；
3、高溫控制范圍，100～1600℃；
4、保護(hù)氣氛的入口也可作為其它必要?dú)怏w的入口；
5、真空密封部件由
一、概 述
真空鍍膜屬于薄膜技術(shù)和薄膜物理范疇,廣泛應(yīng)用在電真空，電子學(xué)、光學(xué)、能源開(kāi)發(fā)、現(xiàn)代儀器、建筑機(jī)械、包裝、民用制品、表面科學(xué)、以及原子能工業(yè)和空間技術(shù)中。它可以用來(lái)鍍制微膜組件，薄膜集成電路，半導(dǎo)體集成電路等所需的電學(xué)薄膜；光學(xué)系統(tǒng)中需要的反射膜，透設(shè)膜，濾光膜等各種光學(xué)薄膜；輕工業(yè)產(chǎn)品的燙金薄膜等等。由于真空鍍膜技術(shù)的迅速發(fā)展，從而使電子計(jì)算機(jī)的微型化成為可能，促進(jìn)了人造衛(wèi)星，火箭和宇航技術(shù)的發(fā)展。
所謂真空鍍膜就是指在真空中將金屬或金屬化合物沉積在基體表面上。從技術(shù)角度可分為40年代開(kāi)始的蒸發(fā)鍍膜，濺射鍍膜和70年代才發(fā)展起來(lái)的離子鍍膜。束流沉積等四種。真空鍍膜能在現(xiàn)代科技和工業(yè)生產(chǎn)中得到廣泛應(yīng)用，主要在于它具有以下的優(yōu)點(diǎn)：①它可用一般金屬（鋁，鈦等）代替日益缺乏的貴重金屬（金，銀）并使產(chǎn)品降低成本，提高質(zhì)量，節(jié)省原材料。②由于真空分子碰撞少，污染少，可獲得表面物理研究中所要求的純凈，結(jié)構(gòu)致密的薄膜。③鍍膜時(shí)間和速度可準(zhǔn)確控制，所以可得到任意厚度均勻或非均勻薄膜。④被鍍件和蒸鍍物均可是金屬或非金屬，鍍膜時(shí)被鍍件表面不受損壞，薄膜與基體具有同等的光潔度。
真空蒸發(fā)物理鍍膜工藝，是迄今在工業(yè)能夠制備光學(xué)薄膜的主要的工藝。它們大規(guī)模地應(yīng)用，實(shí)際上是在1930年出現(xiàn)了油擴(kuò)散泵---機(jī)械泵抽氣系統(tǒng)之后。真空鍍膜技術(shù)是一種新穎的材料合成與加工的新技術(shù)，是表面工程技術(shù)領(lǐng)域的重要組成部分。真空鍍膜技術(shù)是利用物理、化學(xué)手段將固體表面涂覆一層特殊性能的鍍膜，從而使固體表面具有耐磨損、耐高溫、耐腐蝕、抗氧化、防輻射、導(dǎo)電、導(dǎo)磁、絕緣和裝飾等許多優(yōu)于固體材料本身的*性能，達(dá)到提高產(chǎn)品質(zhì)量、延長(zhǎng)產(chǎn)品壽命、節(jié)約能源和獲得顯著技術(shù)經(jīng)濟(jì)效益的作用。因此真空鍍膜技術(shù)被譽(yù)為很有發(fā)展前途的重要技術(shù)之一，并已在高技術(shù)產(chǎn)業(yè)化的發(fā)展中展現(xiàn)出誘人的市場(chǎng)前景。
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